Memoria Samsung 8GB DDR4 SODIMM 3200

Solución de módulo DRAM probada en el mercado global.

Los módulos de memoria de Samsung están diseñados para una amplia gama de aplicaciones para ofrecer el mejor rendimiento con bajos requisitos de energía.

Velocidad excepcional, alta fiabilidad, bajo consumo de energía.

La memoria de alto rendimiento brinda soluciones más rápidas y potentes. Samsung DDR4 ofrece máxima velocidad con mejor ancho de banda y confiabilidad usando menos energía.

Una evolución en el rendimiento. Mayor ancho de banda, hasta 3200 Mbps.

Procesando fácilmente cargas de trabajo masivas con velocidad mejorada, la DDR4 transfiere más datos más rápido que nunca, ofreciendo 4 grupos de bancos (16 bancos en total) para reducir las demoras de entrelazado, además de 3200 Mbps de ancho de banda y 1TB / s de memoria del sistema.

Menos energía, mayor eficiencia.

La tecnología de proceso 1x nm de Samsung, la primera en la industria, permite que DDR4 consuma menos energía mientras aumenta el rendimiento y reduce el TCO. El voltaje de funcionamiento bajo de 1,2 V y la interfaz Pseudo Open Drain (POD) permiten un menor consumo de energía, utilizando un 25% menos de energía.

La confiabilidad del sistema es cada vez más crítica ya que los centros de datos procesan cada vez más tráfico.

Las funciones avanzadas de Samsung DDR4 garantizan una transmisión de datos superior, incluida Write CRC para ayudar a reconocer fallas multibit y verificaciones de paridad para CMD / ADD para evitar fallas en el sistema.

• Fabricante Samsung
• Número de pieza M471A1K43DB1-CWE
• Condición nuevo
• Capacidad 8 GB
• Equipo 1x 8GB
• Estándar / Generación DDR4
• Rango 1Rx8
• Tipo de memoria SO-DIMM
• Soporte ECC No
• ECC registrado no (no REG)
• Velocidad del módulo PC4-25600
• Frecuencia 3200 MHz
• Latencia de ciclo 22
• Voltaje (v) 1.2
• Asignación de pines 260 clavijas
• Tipo de producto Memoria RAM