Impuesto incluido
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Agotado
DDR: DDR4
Densidad: 4 GB
Velocidad: 2666 Mbps
No. de Pin: 260:
Tipo de Dimm: SODIMM
Rango x Org .: 1R x 16
Voltaje: 1,2 V
Composición del componente: (512M x 16) x 4
Solución de módulo DRAM probada en el mercado global Los módulos de memoria de Samsung están diseñados para una amplia gama de aplicaciones para ofrecer el mejor rendimiento con bajos requisitos de energía.
Especificaciones:
DDR: DDR4
Densidad: 4 GB
Velocidad: 2666 Mbps
No. de Pin: 260:
Estado del producto: producción en masa
Tipo de Dimm: SODIMM
Rango x Org .: 1R x 16
Voltaje: 1,2 V
Composición del componente: (512M x 16) x 4
