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Memoria RAM Micron 4GB DDR4 2666Mhz MTA4ATF51264HZ-2G6E1 sodimm

$15.000

  • Capacidad: 4 GB.
  • Velocidad: 2666 MHz (PC4-21300).
  • Tipo de memoria: DDR4 SDRAM,
  • SO-DIMM 260 pines.
  • Voltaje: 1,2 V.
SKU: 73543 Categoría: Etiquetas: , , , , , ,
Marca: Samsung

Detalles Del Producto

Memoria RAM Samsung 4GB DDR4 2666Mhz M471A5244CB0-CTD

 

Solución de módulo DRAM probada en el mercado global Los módulos de memoria están diseñados para una amplia gama de aplicaciones para ofrecer el mejor rendimiento con bajos requisitos de energía.

Especificaciones:

  • Capacidad: 4 GB.
  • Velocidad: 2666 MHz (PC4-21300).
  • Tipo de memoria: DDR4 SDRAM, SO-DIMM 260 pines.
  • Cumple con las normas: RoHS, libre de halógenos.
  • Voltaje: 1,2 V.
Peso 1 kg
Dimensiones 11 × 11 × 11 cm