Características:
Fuente de alimentación: VDD=1.2V (1.14V a 1.26V)
VDDQ = 1,2 V (1,14 V a 1,26 V).
VPP: 2,5 V (2,375 V a 2,75 V).
VDDSPD = 2,25 V a 3,6 V.
Funcionalidad y operaciones cumplen con la hoja de datos DDR4 SDRAM 16 bancos internos
Se aplica la agrupación bancaria, y CAS a la latencia CAS (tCCD_L, tCCD_S) para los bancos de los mismos accesos de grupos bancarios o diferentes están disponibles
Tasa de transferencia de datos: PC4-3200, PC4-2933, PC4-2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600
Estroboscópico de datos diferenciales bidireccionales
8 pedazos pre-obetch
Interruptor de longitud de ráfaga (BL) sobre la marcha BL8 o BC4 (Burst Chop)
Soporta corrección y detección de errores ECC
Terminación en la matriz (ODT)
Sensor de temperatura con SPD integrado para ECC SODIMM
Este producto cumple con la directiva RoHS
Se admite la direccionabilidad por DRAM
La generación interna del nivel de Vref DQ está disponible
